臺積電在 2nm 半導體制造節點(diǎn)方面取得重大研究突破，有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝試生產(chǎn)階段，并在一年后開(kāi)始批量生產(chǎn)。

　　目前，臺積電的最新制造工藝是 5nm 工藝，已用于生產(chǎn) A14 仿生芯片。

　　據介紹，臺積電的 2nm 工藝將采用差分晶體管設計。該設計被稱(chēng)為多橋溝道場(chǎng)效應(MBCFET)晶體管，它是對先前 FinFET 設計的補充。

　　值得注意的是，這也是臺積電第一次將 MBCFET 設計用于其晶體管。

　　臺積電一位高管對外表示，“我們樂(lè )觀(guān)預計 2023 年下半年風(fēng)險試產(chǎn)收益率將達到 90%，這將有助于我們未來(lái)繼續贏(yíng)得蘋(píng)果、匯達等主要廠(chǎng)商的大訂單”。同時(shí)，他還提到，量產(chǎn)將于 2024 年開(kāi)始。

　　臺積電去年成立了 2nm 項目研發(fā)團隊，尋找可行的發(fā)展路徑?？紤]到成本、設備兼容性、技術(shù)成熟度和性能等條件，2nm 采用了基于環(huán)繞門(mén)(GAA)工藝的 MBCFET。該結構解決了 FinFET 工藝收縮引起的電流控制泄漏的物理限制。
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